对MOSFET的电压曲线的归纳

最基本的:

只有VDD：

只存在漏电流。

VDD，VG共同作用：

当VG<Vth时，除了漏电流，并不存在电子的流动，所以实际上能检测到的电流也就是漏电流，但此时的漏电流可能会略比只存在VDD时的漏电流略大。

当VG>Vth, 电子开始受到Gate极的电压的吸引，形成导电沟道，而由于VDD存在电压，所以形成导电沟道的电子受到VDD的吸引，形成电流，电流方向为Drain to source。

预夹断：

在VG>Vth的情况下，VDD不断增加，当VDD=VG-Vth时，此时，VDD的电压便和导电沟道的正中间的电压相等，电子不再集中像Gate极靠拢，也就是电子会逐渐在Drain极附近形成包围圈，从而使得从Source导向Drain极的电子数量变少，所以导电沟道的电子无法再不断显著增加。这便是预夹断形成的本质原因，从而使得MOSFET进入saturation区。

如果此时不断增加VDD，聚集在VDD的电子会越来越多，也就是导电沟道越来越短，从而Ids的值基本不再增加。

关于预夹断的可以从以下URL中寻得更多介绍与讲解：

http://www.kiaic.com/article/detail/2672.htm



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